Вход
Имя пользователя:
Пароль:
Запомнить меня

Зарегистрируйтесь, чтобы получить доступ к форуму, чату, комментированию статей и написанию собственных статей. Для регистрировавшихся на форуме ранее сейчас регистрироваться не надо.
Регистрироваться!!!

Забыл пароль?
Сервер World Of Warcraft
Имя пользователя:
Пароль:
Повторите пароль:
E-mail:
Сейчас на сайте:
Всего: 56
0 юзеров | 56 гостей

Рекорд: 396 на February 25, 2009 в 09:19 AM.
Последние посты
Баги с квестамиvelasces
Патчvelasces
Баги другого родаKimo
какую музыку слушают
игроки на форсемите?
velasces
Поднимем онлайн!Dvorf
Ульдуар.Kimo
ПЕРЕНОС ЧАРОВ С
ДРУГОГО СЕРВЕРА.
Dvorf
РЕЙТЫ НА ПРОФЫsanekXXL
ОПРОС:Наши Рейты!TABURETNIK
ОПРОС:Что оставить и
что убрать?
StyX
юмор wowsanekXXL
Баги с персонажами и
аккаунтами
Psycho
С Днем Системного
Администратора!
Aбвгдe
ASCII GeneratorVan
Баны игроковNighter
Sponsor links:
[Soft & Game]Jaguar Land Rover начинает испытания самоуправляемых машин на дорогах общего пользования
[Soft & Game]Volkswagen собирается выделить на электромобили и самоуправляемые машины более 34 млрд евро
[Soft & Game]Смартфон Samsung Galaxy J2 Pro в новом поколении наконец-то получит современную платформу
[Soft & Game]Китай намерен создать космический корабль с ядерным двигателем
[Soft & Game]PowerColor похвасталась изображениями видеокарты Radeon RX Vega 64 Red Devil
[Soft & Game]Набор модулей памяти G.Skill Trident Z DDR4-4400 суммарным объемом 32 ГБ работает с задержками CL19-19-19-39
[Soft & Game]Samsung продолжит использовать в смартфонах тепловые трубки
[Soft & Game]Virgin Hyperloop One изучает возможность строительства в Индии сети маршрутов высокоскоростных поездов
[Soft & Game]Производитель извинился за задержку камер Sony a7R III
[Soft & Game]Toshiba утверждает, что не ведет переговоры с Asustek Computer о продаже производства ПК
[Soft & Game]Sony тестирует устройство с SoC Snapdragon 845, которая получит восьмиядерный CPU с частотой 2,6 ГГц и GPU Adreno 550
[Soft & Game]У смартфона OnePlus 5T не должно быть «желейного эффекта» на экране
[Soft & Game]AMD превосходит Nvidia в статистике Firefox
[Soft & Game]Ассортимент EK Water Blocks пополнил водоблок EK-FB ASRock X299 RGB Monoblock
[Soft & Game]Начались продажи корпусов SilverStone Redline RL07
[Soft & Game]Специалистам Holst Centre удалось создать действительно гибкую панель OLED
[Soft & Game]Начались продажи миниатюрной камеры PogoCam, прикрепляемой к очкам
[Soft & Game]Планшеты Lenovo Tab 7 и Tab 7 Essential стоят $100 и $70 соответственно
[Soft & Game]Процессорный охладитель Jonsbo PC-701 порадует любителей подсветки
[Soft & Game]Анонсирован выпуск теста производительности VRMark Cyan Room
По теме:
Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит
От ixbt
Опубликовано: August 11, 2015

В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит.

Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в отрасли микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит. Это соответствует объёму памяти одной микросхемы 32 ГБ. Количество слоёв при этом достигает 48.

Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит

Согласно данным Samsung, энергопотребление новых микросхем на 30% меньше, нежели у представленных в прошлом году. Производительность при этом выросла примерно на 40%. Новые микросхемы могут использоваться как для мобильной техники, так и для создания твердотельных накопителей.

[Читать далее...] Показать Каменты (0)