Современные реалии таковы, что несмотря на избыточную производительность актуальных однокристальных систем для смартфонов, производителям приходится выпускать всё новые и новые решения.

SoC Snapdragon 820 была представлена в августе 2015 года, а первые смартфоны с этой системой вышли на рынок около года назад. Так что, согласно тенденциям, Qualcomm пора выводить новое решение. Snapdragon 821 таковым считать нельзя, так как это лишь весьма скромное обновление, а не новый продукт.

Так что сегодня компания анонсирует однокристальную систему Snapdragon 835. Именно так, пропуская номер 830. Как и в случае предшественницы, первый анонс сугубо номинален. Qualcomm не раскрыла все карты, рассказав о новой SoC совсем немного. Если быть точным, то опубликованный пресс-релиз, по сути, является даже не анонсом новой платформы, а анонсом сотрудничества Qualcomm и Samsung.

Как сообщается, две компании расширили стратегическое партнёрство для производства SoC Snapdragon 835. Производиться она будет по 10-нанометровой технологии FinFET. Напомним, корейский гигант является первым полупроводниковым производителем, который объявил о старте массового производства 10-нанометровой продукции. В сравнении с нормами 14 нм, новая технология позволит на 40% снизить энергопотребление либо на 27% увеличить производительность.

Документ гласит, что новая SoC уже находится в производстве и ожидать первые устройства на её основе можно в первой половине 2017 года. Несложно догадаться, что Samsung Galaxy S8 будет одним из таковых.