Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel.

По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка (в 1000 раз). При этом она настолько же долговечнее, а также в 10 раз превосходит по плотности обычную память DRAM.

В первую очередь Intel и Micron позиционируют новую разработку в качестве решений для систем, работающих с большими объёмами данных (центры обработки данных и прочее). Но, если верить пресс-релизу, 3D Xpoint доберётся и до потребительского сегмента.

Архитектура для новой памяти была разработана с нуля без использования транзисторов. Структуру 3D Xpoint, как утверждает Intel, можно представить в виде своеобразной шахматной доски, на которой ячейки памяти располагаются на пересечении разрядной шины и числовой шины (отсюда и название памяти). Это позволяет считывать и записывать данные небольшими объёмами, что повышает эффективность работы памяти.

Помимо этого, архитектура позволяет реализовать многослойную структуру, что повышает плотность памяти. В частности, первое поколение памяти 3D Xpoint позволяет создавать микросхемы плотностью 128 Гбит, включающие в себя два слоя по 64 Гбит. В дальнейшем технология будет совершенствоваться, что позволит создавать ещё более плотную память с большим количеством слоёв.

Производство памяти 3D Xpoint начнётся уже в текущем году, а первые устройства на основе данной технологии можно ожидать на рынке в начале следующего. Скорее всего, в первую очередь это будут продукты для серверного сегмента. О стоимости и о техпроцессе производства пока ничего не сообщается.