Вход
Имя пользователя:
Пароль:
Запомнить меня

Зарегистрируйтесь, чтобы получить доступ к форуму, чату, комментированию статей и написанию собственных статей. Для регистрировавшихся на форуме ранее сейчас регистрироваться не надо.
Регистрироваться!!!

Забыл пароль?
Сервер World Of Warcraft
Имя пользователя:
Пароль:
Повторите пароль:
E-mail:
Сейчас на сайте:
Всего: 190
0 юзеров | 190 гостей

Рекорд: 396 на February 25, 2009 в 09:19 AM.
Последние посты
Баги с квестамиvelasces
Патчvelasces
Баги другого родаKimo
какую музыку слушают
игроки на форсемите?
velasces
Поднимем онлайн!Dvorf
Ульдуар.Kimo
ПЕРЕНОС ЧАРОВ С
ДРУГОГО СЕРВЕРА.
Dvorf
РЕЙТЫ НА ПРОФЫsanekXXL
ОПРОС:Наши Рейты!TABURETNIK
ОПРОС:Что оставить и
что убрать?
StyX
юмор wowsanekXXL
Баги с персонажами и
аккаунтами
Psycho
С Днем Системного
Администратора!
Aбвгдe
ASCII GeneratorVan
Баны игроковNighter
Sponsor links:
[Soft & Game]Доступные флагманы Google Pixel 3a и Pixel 3a XL сохранят технологию Active Edge и процессор безопасности Titan M
[Soft & Game]Apple изменила правила распространения гарантии AppleCare+ на стилусы Pencil
[Soft & Game]Три варианта дизайна пентакамеры Nokia 9 PureView. Один из них может появиться в новом смартфоне
[Soft & Game]В этом году 60% смартфонов Huawei и Honor будут использовать платформы HiSilicon Kirin
[Soft & Game]Turtle Beach объявляет о выпуске серии игровых гарнитур Recon 70
[Soft & Game]Неанонсированные ускорители Intel Xe лягут в основу Aurora — первого суперкомпьютера класса Exascale
[Soft & Game]Глобальная стабильная версия MIUI 10 вышла на Xiaomi Mi 8 Lite
[Soft & Game]Samsung возглавляет рынок профессиональных дисплеев в течение 10 лет
[Soft & Game]Samsung Galaxy A40 красуется на новых изображениях в различных цветах
[Soft & Game]Apple снимет с производства iPhone 6, iPhone 7 и 8 подешевеют
[Soft & Game]Складной смартфон Xiaomi выйдет в течение трех месяцев и будет стоить около $1100
[Soft & Game]Видеокарты Nvidia GeForce GTX получат поддержку трассировки лучшей в реальном времени в следующем месяце
[Soft & Game]На уровне с Samsung Galaxy S10: стала известна стоимость смартфонов Huawei P30 и P30 Pro
[Soft & Game]Серия твердотельных накопителей Kingston DC500R включает модели объемом до 3,84 ТБ
[Soft & Game]Небольшой экран и большой аккумулятор: смартфон Samsung Galaxy A40 засветился на изображениях
[Soft & Game]Canon признает наличие ошибки в объективах EF 400mm f/2.8L IS III USM и EF 600mm f/4L IS III USM
[Soft & Game]AVer EP65 — интерактивный сенсорный экран, интегрируемый с Zoom Rooms
[Soft & Game]По прогнозу IDC, поставки носимых электронных устройств в этом году вырастут на 15,3%
[Soft & Game]Специалистами Sony создан датчик изображения типа CMOS с многослойной компоновкой, обратной засветкой и функцией глобального затвора
[Soft & Game]Новенький планшет iPad mini не получил фирменного чехла Leather Smart Cover
По теме:
Компания Samsung начала серийный выпуск 64-слойной флэш-памяти V-NAND
От ixbt
Опубликовано: June 15, 2017

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, используемых в серверах, ПК и мобильных устройствах.

Отгрузка ознакомительных образцов SSD, в которых используется указанная память, началась еще в январе. Сейчас производитель разрабатывает изделия других категорий, включая встраиваемые накопители UFS и карты памяти, которые он рассчитывает представить позже в этом году.

Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по три бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с

Наращивая выпуск 64-слойных микросхем V-NAND, которые иначе называются V-NAND четвертого поколения, производитель планирует, что до конца года они будут составлять более полвины всего выпускаемого им объема флэш-памяти.

Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по три бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с, что является рекордным значением для флэш-памяти типа NAND. Кроме того, память V-NAND характеризуется минимальным временем страничной записи (tPROG) — 500 мкс. Это значение примерно в четыре раза меньше значения, типичного для планарной флэш-памяти, изготовленной по технологии 10-нанометрового класса.

По сравнению с микросхемами 48-слойной флэш-памяти V-NAND плотность 256 Гбит, 64-слойная память V-NAND такой же плотности является на 30% энергетически более эффективной, поскольку напряжение питания снижено с 3,3 В до 2,5 В. При этом надежность возросла на 20%.

Источник: Samsung Electronics

[Читать далее...] Показать Каменты (0)